一种三结太阳能电池制造技术

本发明专利技术提供了一种含有量子阱结构的太阳能电池，该电池结构为：从下至上包括背电极；ｐ型锗衬底与ｎ型锗外延层组成的底电池；ｎ型ＧａＡｓ层过渡层；下隧穿结；ｐ型ＧａＡｓ层、量子阱结构与ｎ型ＧａＡｓ层组成的中间电池；上隧穿结；ｐ型ＧａＩｎＰ层与ｎ型ＧａＩｎＰ层组成的顶电池；减反射膜和上电极，其中量子阱结构分为由三五簇半导体材料制成的量子阱层和势垒层，该太阳能电池能够扩展中间电池的吸收光谱，改善三个子电池间的电流匹配，提高电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，特别是涉及一种含有量子阱结构的太阳能电池。二
技术介绍
三结GalnP/GaAs/Ge太阳能电池是目前世界上转换效率最高的太阳能电池。 但是要进一步提高其光电转换效率，需要解决三结电池中存在的三个子电池电流 匹配不好的问题。在现有的三结电池中，中间子电池的电流小于顶电池与底电池， 造成最终的输出电流受限于中间子电池，4吏得顶电池与底电池的部分电流无法利 用，给进一步提高电池的光电转换效率造成困难。三、
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是4是供一种改进的三结太阳能电池的结构，以改善三个子电池 的电流匹配，提高三结电池的转换效率。技术方案本专利技术的技术解决方案为一种三结太阳能电池，电池结构为从下至上包括背电极层、底电池层、过 渡层、下隧穿结层、中间电池层、上隧穿结层、顶电池层、减反射膜层和上电极 层，其中底电池层从下至上由p型Ge单晶衬底与n型Ge外延层组成； 过渡层为n型GaAs层a;下隧穿结层从下至上由重掺杂的n型GaAs层a与重掺杂的p型GaAs层a 组成；中间电池层从下至上由p型GaAs层、n型GaAs层b以及夹在所述p型GaAs 层与n型G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三结太阳能电池，其特征在于电池结构为：从下至上包括背电极层（１）、底电池层、过渡层、下隧穿结层、中间电池层、上隧穿结层、顶电池层、减反射膜层（１４）和上电极层（１５），其中：　底电池层从下至上由ｐ型Ｇｅ单晶衬底（２）与ｎ型Ｇｅ外延 层（３）组成；　过渡层为ｎ型ＧａＡｓ层ａ（４）；　下隧穿结层从下至上由重掺杂的ｎ型ＧａＡｓ层ａ（５）与重掺杂的ｐ型ＧａＡｓ层ａ（６）组成；　中间电池层从下至上由ｐ型ＧａＡｓ层（７）、ｎ型ＧａＡｓ层ｂ（９）以及夹在所述ｐ型Ｇ ａＡｓ层（７）与ｎ型ＧａＡｓ层ｂ（９）中间的量子阱结构（８）组成，所述量子阱结构（８）分为量子阱...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：娄朝刚，孙强，雷威，张晓兵，孙彦铮，许军，
申请(专利权)人：东南大学，中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]