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本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，其中，所述薄膜晶体管通过在沟道的漏区设置掺杂浓度相较于沟道和源区较低的浓度变化区，使得浓度变化区的电阻相对较高，可以抑制薄膜晶体管的栅极感应漏极漏电流，改善了薄膜晶体管容易发生电学...
该专利属于昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山国显光电有限公司授权不得商用。

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