一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板技术

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，其中，所述薄膜晶体管通过在沟道的漏区设置掺杂浓度相较于沟道和源区较低的浓度变化区，使得浓度变化区的电阻相对较高，可以抑制薄膜晶体管的栅极感应漏极漏电流，改善了薄膜晶体管容易发生电学特征偏移的情况。另外，浓度变化区的掺杂浓度沿第一方向递减，使得漏区向沟道的电阻变化更加平缓，使得薄膜晶体管的关态表现更优。使得薄膜晶体管的关态表现更优。使得薄膜晶体管的关态表现更优。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，更具体地说，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是显示设备中用于控制像素发光的重要器件。
[0003]在实际应用中发现，显示面板的薄膜晶体管在一些情况下容易发生电学特性的偏移，导致显示面板的显示出现异常。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，通过在沟道的漏区设置掺杂浓度沿第一方向递减的浓度变化区，实现了抑制薄膜晶体管的栅极感应漏极漏电流的目的，降低了薄膜晶体管发生电学特性偏移的概率。
[0005]为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
[0006]第一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
[0007]有源层，所述有源层包括沟道、漏区和源区，所述漏区包括浓度变化区，所述浓度变化区的掺杂浓度沿第一方向递减，所述第一方向包括所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括沟道、漏区和源区，所述漏区包括浓度变化区，所述浓度变化区的掺杂浓度小于所述沟道和所述源区的掺杂浓度，且所述浓度变化区的掺杂浓度沿第一方向递减，所述第一方向包括所述漏区指向所述沟道的方向；与所述有源层上下间隔设置的栅电极；位于所述有源层与所述栅电极之间的栅绝缘层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述浓度变化区的厚度小于所述沟道和所述源区的厚度；可选的，所述浓度变化区的厚度的取值范围包括0.2μm～2μm。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述浓度变化区的厚度沿所述第一方向递减。4.根据权利要求1～3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于有源层上方，与所述漏区电连接的漏极；所述漏区还包括位于所述浓度变化区远离所述沟道的连接区，所述连接区的掺杂浓度大于所述浓度变化区的掺杂浓度，所述连接区用于连接所述薄膜晶体管的漏极；可选地，所述浓度变化区的掺杂离子类型为硼离子；可选地，所述浓度变化区的厚度与所述连接区的厚度差小于500埃；可选地，所述浓度变化区的掺杂浓度的取值范围为10
13
～10
15
cm
‑3；可选地，所述连接区和所述源区的掺杂浓度的取值范围为10
16
～10
18
cm
‑3；可选地，所述浓度变化区的掺杂浓度与所述连接区的掺杂浓度的浓度差异小于3个数量级。5.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管。6.一种显示面板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张九占，陈方，许传志，胡思明，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：