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一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，包括器件单元区，器件单元区的衬底顶部形成有多个沟道结构，相邻沟道结构之间形成有介电墙，沿第一方向，沟道结构所在的区域包括有效区和待切割区；去除待切割区的沟道结构；去除位于待切割区的侧部且覆盖沟道结...
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