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本发明公开了一种平面型SiC MOSFET器件，包括：在两个相邻的沟道区之间的漂移区表面形成有抗JFET区；沟道区的二个以上的第一离子注入区设置为：注入峰值位置越深，注入峰值越大；注入峰值位置越浅，注入峰值越小；抗JFET区的一个以上的第二...
该专利属于上海鼎阳通半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎阳通半导体科技有限公司授权不得商用。

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