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一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体，球形度高，纯度高，铀、钍杂质含量均达到在5ppb以下。该β氮化硅粉体可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。...
该专利属于青岛瓷兴新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛瓷兴新材料有限公司授权不得商用。

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