一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体、其制造方法及应用技术

一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体，球形度高，纯度高，铀、钍杂质含量均达到在5ppb以下。该β氮化硅粉体可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。尤其适用于高热导记忆半导体封装材料。

【技术实现步骤摘要】
一种超纯低放射性类球形
β
氮化硅粉体、其制造方法及应用


[0001]本专利技术涉及一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体，可作为电子封装材料的填充料，尤其适用于高热导记忆半导体封装材料，属于电子封装领域。

技术介绍

[0002]随着现代微电子技术的快速进步，电子产品及其器件正在逐渐向着小型化、高集成化和高功率化的方向发展，这在带来强大使用功能的同时，也导致功耗和发热量的持续增加。数据指出，对于大多数电子器件，其使用温度不能高于80℃；在这一温度之上，温度每升高10℃，可靠性就会降低一半；而系统过热而引起的芯片失效占芯片失效原因的50％以上，可见芯片散热问题是制约电子产品进一步发展的瓶颈问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个方面提供一种超纯低放射性类球形β氮化硅粉体，所述氮化硅粉体球形度在0.5
‑
0.99之间、铀杂质含量<5ppb、钍杂质含量<5ppb、粒度范围在0.5μm
–
50μm之间。
[0004]根据本专利技术的一个方面，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅粉体的制造方法，其特征在于，所述方法包括：(1)将硅粉与β氮化硅及研磨介质混合研磨均匀，浆料烘干后过筛；(2)将步骤(1)所得混合物在保护性气氛下进行燃烧合成；(3)将步骤(2)所得产物进行球磨；(4)对步骤(3)所得产物进行表面改性处理，得到所述氮化硅粉体产品；所述步骤(1)中，所述硅粉的铀、钍杂质含量均在5ppb以下；所述步骤(1)中，所述研磨在尼龙球磨罐中进行；所述步骤(1)中，所述研磨介质为无水乙醇；所述步骤(1)中，所述硅粉及所述β氮化硅的铀、钍杂质含量均在5ppb以下；所述步骤(1)中，所述过筛为过200目筛；所述步骤(2)包括：将步骤(1)所得混合物布料于坩埚中，随后将坩埚放置于燃烧合成反应釜内，在原料的一端放置点火钨丝，钨丝上铺盖钛粉作为引燃剂，在3MPa
‑
12MPa的高纯N2气氛下，在一端点火，引发自蔓延反应，反应由样品一段延伸至另一端时完成；所述步骤(2)中，所述保护性气氛为高纯N2，所述高纯N2的N2体积百分含量>99.999％；所述步骤(3)中，所述球磨在非Fe的内衬中进行，所述非Fe的内衬包括尼龙内衬或聚氨酯内衬；所述步骤(3)中，所述球磨的磨球采用氮化硅磨球，所述氮化硅磨球的铀、钍杂质含量均在5ppb以下，所述球磨时间为0
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24h；所述步骤(4)中，所述表面改性处理包括：将步骤(3)得到的产物与表面改性剂混合；所述表面改性剂为硅烷偶联剂；所述步骤(4)包括：将步骤(3)得到的产物与硅烷偶联剂加入乙醇中，硅烷偶联剂加入比例为氮化硅粉体的0.5～2wt％，配成固含量30～80wt％的浆料，将所述浆料均匀混合后烘干；所述氮化硅粉体球形度在0.90
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0.99之间，铀杂质含量<4.5ppb、钍杂质含量<3.7ppb。2.一种组合物，包括如权利要求1所述的制造方法得到的氮化硅粉体和二氧化硅粉体，其特征在于，所述氮化硅粉体球形度在0.90
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0.99之间、铀杂质含量<4.5ppb、钍杂质含量<3.7ppb、粒度范围在0.8μm
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25μm之间，所述氮化硅粉体由粒度较大的大颗粒和粒度较小的小颗粒组成，其中所述大颗粒的粒度范围在10μm
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50μm之间，所述小颗粒的粒度范围在0.5μm
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10μm之间，所述大颗粒与所述小颗粒质量比为2

【专利技术属性】
技术研发人员：成会明，崔巍，孙思源，贾再辉，邹艺峰，
申请(专利权)人：青岛瓷兴新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：