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本申请属于半导体技术领域，提供了一种具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片，具有体二极管的氮化镓IGBT器件包括：P型氮化镓集电区、N型氮化镓层、P型氮化镓层、栅极介质层、栅极、第一N型发射区、肖特基金属区、隔离区、第一发射极、...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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