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本发明提供一种微同轴传输结构及其制备方法，涉及微同轴技术领域。本发明首先通过湿法腐蚀在基底上制备开放式凹槽，利用开放式凹槽的缓坡制备外导体的侧壁金属层，相当于一次性沉积微同轴结构的侧壁和下层外导体；随后在金属层上面制备介质支撑层和电镀内导体...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

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