微同轴传输结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种微同轴传输结构及其制备方法，涉及微同轴技术领域。本发明专利技术首先通过湿法腐蚀在基底上制备开放式凹槽，利用开放式凹槽的缓坡制备外导体的侧壁金属层，相当于一次性沉积微同轴结构的侧壁和下层外导体；随后在金属层上面制备介质支撑层和电镀内导体；最后电镀上半部分外导体，电镀完成后与下半部分外导体一起组成外导体。整个微同轴结构的制备过程仅有两次电镀过程，相较于传统方案无需多层堆叠进而降低了对多层堆叠的精度要求，无需电镀较厚无需抛光工艺也增加了微同轴结构与一些脆弱微结构如弹簧梁结构的一体化制备的可能性，制作步骤简单，制备成本低，可实现大规模生产。生产。生产。

【技术实现步骤摘要】
微同轴传输结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微同轴
，具体涉及一种微同轴传输结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着射频电路的高集成度、高性能、微型化的需求越来越大，相邻微带线之间的耦合限制了其进一步的小型化，同时印制板电路的介质损耗也随着频率的上升而不断增大进而限制了其传输功率和功率容量。由于拥有低色散、高隔离度、低插损、宽带宽以及阻抗变换简单等一系列优点，基于MEMS工艺的微同轴传输系统受到了越来越多的关注。
[0003]微同轴传输结构常用的制备技术包括：以蓝宝石、半导体或陶瓷为衬底，采用光刻胶作为腐蚀牺牲层定义出微同轴结构区域，对微同轴结构区域多次电镀铜进行堆叠形成外导体和内导体，最后用腐蚀液去除光刻胶后就可得到微同轴结构。由于电镀的每层铜层较厚且表面粗糙，需要对表面进行抛光平坦化处理。
[0004]虽然传统的制备方法可成功制作微同轴传输结构，但传统方案仍具备一定的局限性。多层电镀铜层的抛光和堆叠不仅增加了工艺的复杂度，而且多层堆叠要求层间的对准精度要足够高，另外抛光工艺也限制了微同轴结构与一些脆弱结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微同轴传输结构的制备方法，其特征在于，包括：S1、在基底(100)的上下表面制备氧化层(101)；S2、自上表面的氧化层(101)向下，在所述基底(100)上制备开放式凹槽(102)；所述开放式凹槽(102)的侧壁倾斜，与底部平缓连接；S3、在所述开放式凹槽(102)的表面重新制备氧化层(101)，并在重新制备的氧化层(101)上沉积金属层作为下层外导体(103)；S4、在所述下层外导体(103)上制备光刻胶支撑体(104)，在所述在光刻胶支撑体(104)上电镀内导体(105)；S5、在所述内导体(105)上制备图形化的光刻胶覆盖内导体(105)；S6、在光刻胶上重新匀胶光刻打开电镀窗口，电镀上层外导体(107)；其中，所述上层外导体(107)与下层外导体(103)相连，设有腐蚀开孔(108)；S7、通过所述腐蚀开孔(108)去除内外导体之间的光刻胶(106)，获取以空气为介质的微同轴传输结构；其中，所述光刻胶(106)为S4～S6中用于电镀的光刻胶，为同一类型光刻胶且区别于所述光刻胶支撑体(104)。2.如权利要求1所述的微同轴传输结构的制备方法，其特征在于，所述S1中在硅基底上通过干法氧化出制备二氧化硅氧化层。3.如权利要求1所述的微同轴传输结构的制备方法，其特征在于，所述S2中通过湿法腐蚀的方法在硅基底上制备开放式凹槽(102)，包括：S21、采用热蒸发的方式先后在上表面的氧化层(101)上沉积铬膜和金膜；S22、在金膜上制备图形化的光刻胶掩膜；S23、湿法腐蚀去除多余的铬膜和金膜后去除光刻胶掩膜；S24、湿法腐蚀或干法刻蚀去除开放式凹槽(102)裸露出来的氧化层(101)；S25、湿法腐蚀裸露出来的硅基底；S26、湿法腐蚀剩余的铬膜和金膜；S27、湿法腐蚀或干法刻蚀剩余的氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓莉，吴伟，马强，王锐，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：