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本发明实施例公开了一种平面透射电镜样品的制备方法及平面透射电镜样品，该平面透射电镜样品的制备方法，包括：提供绝缘体上硅器件样品；从基底硅远离埋氧层的一侧表面开始，对绝缘体上硅器件样品进行减薄抛光，以形成第一抛光面，同时实时观察第一抛光面的表...
该专利属于胜科纳米（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过胜科纳米（苏州）股份有限公司授权不得商用。

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