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本申请涉及高功率密度芯片嵌入式冷却技术领域，特别是涉及一种双面式芯片组。双面式芯片组包括第一基板，中间基板，第二基板。第一基板上加工有第一芯片；第二基板上加工有第二芯片，中间基板开设有入流口、出流口、入流通道以及出流通道，冷却介质从入流口通...
该专利属于之江实验室所有，仅供学习研究参考，未经过之江实验室授权不得商用。

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