【技术实现步骤摘要】
双面式芯片组及其散热方法
[0001]本申请涉及高功率密度芯片嵌入式冷却
,特别是涉及一种双面式芯片组及其散热方法。
技术介绍
[0002]随着市场对于算力要求的提升,制造商对于提高同尺寸器件算力密度的需求日益增长,但随着算力密度提高的同时,同尺寸器件产生的热流密度也不可避免的随之增大,导致芯片的发热问题越来越严重;如果芯片发热量过大,而芯片本身的散热系统无法及时把热量带走,则芯片的温度会不断升高,一旦芯片的温度超过本身的工作温度上限,则芯片内的电路可能会被烧坏,导致芯片报废。
[0003]传统的表面式冷却方式是在芯片表面上配一块冷却板,这种散热方式效果差。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要提供一种具有良好散热能力的双面式芯片组。
[0005]为解决上述技术问题,本申请提供如下技术方案:
[0006]一种双面式芯片组,包括:
[0007]第一基板,所述第一基板的一表面设有第一开口设置的第一换热腔,所述第一基板的另一表面用以加工第一芯片;
[0008]第二基 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双面式芯片组,其特征在于,包括:第一芯片(101),第一基板(10),所述第一基板(10)的一表面设有第一开口(10a)设置的第一换热腔(11),所述第一基板(10)的另一表面用以承载所述第一芯片(101);第二芯片(102),与所述第一芯片(101)相对设置;第二基板(30),所述第二基板(30)的一表面设有第二开口(30a)设置的第二换热腔(31),所述第二基板(30)的另一表面用以承载所述第二芯片(102);中间基板(20),设于所述第一基板(10)和所述第二基板(30)之间,所述中间基板(20)朝向所述第一基板(10)的表面密封地盖设于所述第一开口处,所述中间基板(20)朝向所述第二基板(30)的表面密封地盖设于所述第二开口处;其中,所述中间基板(20)开设有入流口(21)、出流口(26)、入流通道(22)以及出流通道(27),所述入流口(21)位于所述中间基板(20)的一侧面,所述出流口(26)位于所述中间基板(20)另一侧面;所述入流通道(22)与所述入流口(21)连通且沿着所述中间基板(20)的厚度方向贯穿所述中间基板(20),以分别与所述第一换热腔(11)、所述第二换热腔(31)连通;所述出流通道(27)与所述出流口(26)连通且沿着所述中间基板(20)的厚度方向贯穿所述中间基板(20),以分别与所述第一换热腔(11)、所述第二换热腔(31)连通。2.根据权利要求1所述的双面式芯片组,其特征在于,所述入流口(21)的位置与所述出流口(26)的位置相背设置。3.根据权利要求1所述的双面式芯片组,其特征在于,所述入流口(21)的数量为多个,所述入流通道(22)的数量与所述入流口(21)一一对应并连通,且多个所述入流口(21)沿着所述中间基板(20)的长度或者宽度方向并列设置。4.根据权利要求3所述的双面式芯片组,其特征在于,所述出流口(26)的数量为多个,所述出流...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆军亮,杨嘉帆,徐璐,王颖,韩银和,栾俊达,
申请(专利权)人:之江实验室,
类型:发明
国别省市:
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