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本发明公开一种鳍式场效应晶体管“FinFET”半导体装置(400)及其形成方法。在一个实例中，在半导体衬底(405)上方形成半导体鳍片(410)。在所述鳍片(410)的顶部表面及侧表面上形成保形介电层(420)。在所述保形介电层(420)上...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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