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本发明公开了一种沟槽平面栅ＭＯＳＦＥＴ器件，包括在ｎ↑［＋］硅衬底层上面连接有ｎ↑［－］外延层，ｎ↑［－］外延层的上方设置有平面栅极Ｇ，平面栅极Ｇ的两侧的外延层上各设置有一个ｐ基区，每个ｐ基区内设置有ｎ↑［＋］源区，在表面处ｎ↑［＋］源区与...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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