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本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的ＡｌＧａＮ基ｕｖ－ＬＥＤ器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温ＡｌＮ成核层（２）、高温ＡｌＮ成核层（３）、本征ＡｌＧａＮ外延层（４）、ｎ－ＡｌＧａＮ势垒层（５）、有源区（６）、ｐ...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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