基于蓝宝石衬底的ＡｌＧａＮ基多量子阱ｕｖ－ＬＥＤ器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于蓝宝石衬底的ＡｌＧａＮ基ｕｖ－ＬＥＤ器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温ＡｌＮ成核层（２）、高温ＡｌＮ成核层（３）、本征ＡｌＧａＮ外延层（４）、ｎ－ＡｌＧａＮ势垒层（５）、有源区（６）、ｐ－ＡｌＧａＮ势垒层（７）、低Ａｌ组分ｐ型ＡｌＧａＮ层（８）、ｐ型ＧａＮ冒层（９），以及在ｐ型ＧａＮ冒层设有的窗口区（１０）。该器件通过干法刻蚀ｐ－ＧａＮ冒层至电子势垒层ｐ－ＡｌＧａＮ，形成了圆柱状的出射光窗口，二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口，增大了窗口的出射孔径，同时使得出射光的传播距离减少。本发明专利技术的制作方法由于采用刻蚀的方法使的电子势垒层ｐ－ＡｌＧａＮ的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，本发明专利技术可用于水处理，医疗、生物医学场合以及白光照明中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体器件，特别是一种新型AlGaN基多量子阱的uv-LED器件的实现方法，可用于水处理、医疗与生物医学以及白光照明领域。
技术介绍
m-v族化合物半导体材料作为第三代半导体材料的杰出代表，具有很多优良的特性，尤其是在光学应用方面，由Ga、 Al、 In、 N组成的合金(Ga(Al,In)N;[可以覆盖整个可见光区和近紫外光区。而且纤锌矿结构的III族氮化物都是直接带隙，非常适合于光电子器件的应用。特别是在紫外光区，AlGaN基多量子阱的uv-LED已显示出巨大的优势，成为目前紫外光电器件研制的热点之一。然而，随着LED发光波长的变短，GaN基LED有源层中Al组分越来越高，高质量AlGaN材料的制备具有很大难度，AlGaN材料造成uv-LED的外量子效率和光功率都很低，成为了uv-LED发展的瓶颈，是当前急需解决的问题。AlGaN基多量子阱uv-LED器件具有广阔的应用前景。首先，GaN基蓝绿光LED取得了突破性的进展，目前高亮度蓝绿光LED已经商业化，在景观照明、大屏幕背光源、光通讯等领域都显示了强大的潜力。其次，白光LED固态照明更是如火如荼本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于蓝宝石衬底的ＡｌＧａＮ基多量子阱ｕｖ－ＬＥＤ器件，包括低温ＡｌＮ成核层（２）、高温ＡｌＮ成核层（３）、本征ＡｌＧａＮ外延层（４）、Ｓｉ掺杂的ｎ型ＡｌＧａＮ势垒层（５）、有源区（６）、ｐ型ＡｌＧａＮ势垒层（７）、低Ａｌ组分ｐ型ＡｌＧａＮ层（８）和ｐ型ＧａＮ冒层（９），其特征在于ｐ型ＧａＮ冒层处设有窗口区（１０），使产生的光由顶部冒层发出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郝跃，杨凌，马晓华，周小伟，李培咸，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]