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一种三维堆叠芯片和电子设备，三维堆叠芯片包括：第一芯片；第二芯片，位于所述第一芯片上堆叠设置；散热层，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间；一条或多条信号导线，至少部分信号导线的至少部分区域与所述散热层同层间隔设置；其中，与所述散热层间隔设置...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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