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本发明公开了一种氧化镓pn异质结二极管，由下至上为阴极欧姆电极、Ga2O3衬底区、Ga2O3漂移区、双层NiO
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该专利属于重庆理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆理工大学授权不得商用。

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