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本申请涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板与显示装置，其中，薄膜晶体管的制备方法包括：制备非晶硅层；对非晶硅层进行离子注入；对离子注入后的非晶硅层进行激光退火，以得到多晶硅层并使注入的离子活化；在多晶硅层中形成源区以及漏区。本申请实施例...
该专利属于昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山国显光电有限公司授权不得商用。

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