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本发明涉及一种二极管全动态老化方法，步骤如下：a）、将相应器件连接成回路；b）、MCU芯片接收上位机上各参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下...
该专利属于杭州高裕电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州高裕电子科技股份有限公司授权不得商用。

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