温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法和刻蚀方法。所述半导体器件包括衬底、顶部金属层和钝化层；所述顶部金属层设置于所述衬底的表面；所述钝化层覆盖所述顶部金属层及其周围的衬底，所述钝化层包括自下而上的第一介质层、刻蚀停止层、第二介质层和硬掩模...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。