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一种耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上；形成N型阱区于耗尽型高压NMOS元件区中；形成高压P型阱区于半导体层中，其中N型阱区与高压P型阱区于通道方向上...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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