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本发明公开了一种感测晶片结构、晶片级感测构装结构及其制作方法，其 制作方法步骤包含：提供一包含感测芯片的晶片，其感测芯片具有感测区与焊 垫；形成一应力释放层于晶片表面；披覆一光阻层于应力释放层上；图案化光 刻胶层以露出焊垫及部分的应力释放层...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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