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单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于９９．９９５％高纯铜熔化，升温到１１００～１１８０℃，精炼６０～１２０分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ４～φ８ｍｍ单晶铜杆，...
该专利属于兰州理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州理工大学授权不得商用。

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