单晶铜键合丝的制备方法技术

单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于９９．９９５％高纯铜熔化，升温到１１００～１１８０℃，精炼６０～１２０分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ４～φ８ｍｍ单晶铜杆，然后冷加工至φ０．９５～φ１．１０２ｍｍ，每道次拉拔加工率为１５～２５％，然后分为４７～７０个道次，采用每道次加工率为７．５９～１７．８２％将单晶铜杆拉制０．０２０～０．０５ｍｍ，拉丝时温度为３５～４５℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用Ｈ↓［２］＋Ａｒ↓［２］保护，温度为４１０～４２５℃，时间为０．７～２．０ｓ，退火复绕时的张力为０．６～２．８ｇ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶铜材料的加工制备。
技术介绍
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在芯片连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的90%以上都釆用引线键合连接。铜键合丝与 金丝、铝丝相比具有优良的机械性能、电学性能、热学性能和低的金属间化合物 增长，在很大程度上提高了芯片频率和可靠性，适应了低成本、细间距、高引出 端元器件封装的发展。此外晶片铝金属化向铜金属化的转变，使得对于高速器件 的新型封装设计来说，选择短铜丝键合并且间距小于50ijm的铜焊区将在封装巿 场上成为倒装焊接工艺强有力的竟争对手。并且通过釆用新工艺如新型EFO (Electronic flame off)电子灭火、OP2 (Oxidation prevention process)抗氧化 工艺和MRP (Modulus Reduction Process)降低模量工艺的改进后，使铜丝键 合比金丝键合更牢固、更稳定，尤其在大批量的高引出端、细间距、小焊区的IC 封装工艺中，成为替代金丝的最佳键合材料。但对于铜键合丝的坯料无氧铜杆， 由于其内部组织中存在大量晶界，在拉制超细微丝时，在晶界会出现断裂，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：　Ａ、采用真空度为１０↑［－２］～１０↑［－４］ＭＰａ高真空炉将纯度高于９９．９９５％高纯铜熔化，升温到１１００～１１８０℃，精炼６０～１２０分钟，整个熔炼过程采用纯度 为过于９９．９９％高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ４～φ８ｍｍ单晶铜杆；　Ｂ、将拉制成的高纯度单晶铜杆冷加工至φ０．９５～φ１．１０２ｍｍ，每道次拉拔加工率为１５～２５％，拉拔速度控制在４０～６０ｍ／ｍｉｎ；然后分为４７～７０个 道次，采用每道次加工率为７．５９～１７．８２％将单晶铜杆拉制０．０２０～０．０５ｍｍ；拉制速度为４００～６０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁雨田，曹军，胡勇，许广济，寇生中，
申请(专利权)人：兰州理工大学，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]