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一种增强型器件的外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该增强型器件的外延结构包括衬底，以及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和外延介质层；外延介质层至少包括位于势垒层上的第一铟镓氮层。该增强型器件的外延结构能够降低PN结泄露电流，...
该专利属于广东致能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东致能科技有限公司授权不得商用。

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