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本发明提供了一种基于激光辅助横向外延的半导体材料及其制备方法，该基于激光辅助横向外延的半导体材料的制备方法包括：选取衬底，并基于干涉激光在衬底上制备多层经过图案化且具有周期性排布的凹陷的缓冲层，周期性排布的凹陷适用于利用横向外延的方法生长相...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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