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本发明提供了一种利用ＩＴＯ颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法，包括以下步骤：（１）按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长Ｎ型接触层、多量子阱有源区和Ｐ型接触层，衬底为ＧａＡｓ材料；（２）在外延生长的Ｐ型接触层上用电子束溅射一...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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