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本实用新型公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测...
该专利属于宁波恒普真空科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波恒普真空科技股份有限公司授权不得商用。

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