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本发明提出了一种应用于MRAM的WRITE控制方法及控制电路。所述WRITE控制方法步骤1、将WRITE控制电路的每行传输管的栅极连接在一起组成字线WL，将每列所述传输管的源极连接在一起组成多个位线SL，将WRITE控制电路的每一列所述磁隧...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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