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一种相变化存储装置，包括基底，相变化层位于基底上方，第一电极电性连接相变化层的第一侧，第二电极电性连接相变化层的第二侧，其中相变化层主要包括Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ和一些必须的掺杂物，该相变化层的组成范围是：Ｇａ↓［ｘ］Ｔｅ↓［ｙ］Ｓｂ↓［ｚ］５＜...
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