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本申请公开了包括电荷陷阱位点的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一电极、设置在第一电极上的铁电层、设置在铁电层上的介电层、设置在介电层的内部区域中的电荷陷阱位点以及设置在介电层上的第二电极。介电层可以具有非铁电性质。介电层与铁电层设置...
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