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本公开实施例提供一种套刻误差的量测方法及套刻标记，套刻误差的量测方法包括：提供基底，基底包括多个芯片区以及位于相邻芯片区之间的切割道区，每一芯片区包括阵列区和位于阵列区外围的外围区；提供第一套刻标记，第一套刻标记与外围区相对应，且第一套刻标...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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