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本发明公开了一种金属浮栅存储器，具有金属浮栅侧壁结构，金属浮栅侧壁结构包括：自对准形成于第一栅极沟槽侧面的第一氧化层以及第二氮化层并叠加形成第一侧侧墙。以第二氮化层的第二侧面为自对准条件对底部的半导体衬底进行刻蚀形成的第二凹槽。第三隧穿氧化...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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