温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种存储器的形成方法及存储器，涉及半导体技术领域，存储器的形成方法包括：提供基底，基底包括硅衬底以及设置在硅衬底上的未图案化的叠层；对叠层进行图案化处理形成多个第一沟槽，以隔离多个存储单元；第一沟槽中形成第一介质层；形成两个相对...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。