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一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括设置在第一衬底上的多个存储单元列，每个存储单元列均垂直于第一衬底并且由堆叠设置的多个存储单元形成，存储单元包括晶体管和电容器，晶体管和电容器的结构与说明书中的定义相同；多条位线，均沿垂直于...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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