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本发明提供一种半导体芯片的制造方法，其能高效率且不产生加工 屑地分割在背面形成有金属膜的半导体晶片。 关于将半导体晶片分割成一个个半导体芯片的半导体芯片制造方 法，其特征在于，包括：变质层形成工序，从半导体晶片背面侧将聚光 点对准半导体晶片...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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