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本发明涉及一种用于在包含硅的层存在下选择性蚀刻包含硅锗合金(SiGe)的层的组合物，所述组合物包含：(a)5至15重量％的氧化剂；(b)5至20重量％的包含氟离子源的蚀刻剂；(c)0.001至3重量％的式S1(S1)的第一选择性增强剂和(d...
该专利属于巴斯夫欧洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过巴斯夫欧洲公司授权不得商用。

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