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本发明实施例提供一种低能耗HEMT及其制作方法，其中，低能耗HEMT包括至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元包括：栅极(22)；源极(4)；漏极(3)；邻接源极(4)的第一P型氮化镓区(51)；布置于第一P型氮化镓区(51)和栅极(2...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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