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本公开提供一种提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括：依次叠设的衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、势垒层(5)及介质层(6)；所述势垒层(5)上设有夹着所述介质层(6)的源...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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