温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，此方法例如是先提供基底，于基底中形成第一导电型阱区。然后，于第一导电型阱区的基底上形成栅极结构。并于栅极结构两侧的基底中形成第二导电型源极／漏极区。而后，对基底进行第一导电型离子注入工艺，穿透...
该专利属于力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。