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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有声子散射调控层的半导体激光元件，结构上设置的声子散射调控层为Bi2Te3:Ag、Mg2Sn
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该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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