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本发明公开了一种图案化有机半导体薄膜及其制备方法和应用。该制备方法使用飞秒激光加工技术，通过调整焦点的Z轴聚焦高度，利用光热阈值效应，可有效调控作用在薄膜上的激光能量，实现高精度的薄膜去除效果，得到具有高分辨率的图案化有机半导体。该方式具有...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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