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本发明提出一种硅基全介质太赫兹超材料器件的制备方法，具有可在太赫兹波段支持多重共振的表面结构，所述表面结构以在硅片表面周期性刻蚀的凹槽和通孔结构单元形成太赫兹波段的多重共振结构；所述凹槽和通孔的结构单元是由凹槽和凸槽及位于其正中间的两个通孔...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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