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本发明提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明通过在发射结基区一侧的表...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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