一种抗总剂量辐射高压三极管结构制造技术

本发明专利技术提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明专利技术通过在发射结基区一侧的表面引入高掺杂P型区，提高了发射结附近基区表面浓度，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管抗总剂量辐射的能力。同时，在发射区下方引入高掺杂N型区，避免了基区表面P型区带来的器件初始共发射极电流放大系数的下降。发射极电流放大系数的下降。发射极电流放大系数的下降。

【技术实现步骤摘要】
一种抗总剂量辐射高压三极管结构


[0001]本专利技术属于半导体功率器件领域，具体涉及抗总剂量辐射高压三极管器件结构。
技术背景
[0002]随着功率半导体器件在航空航天的电子系统等的应用越来越广泛，针对电源管理系统和栅驱动电路，抗辐射加固技术成为各个公司和高校的研究重点。而高压三极管作为模块电路中的核心部位，在太空辐射环境下，三极管容易因总剂量辐射的影响而出现发射极与基极之间的表面电流增加现象，导致电流放大系数降低，使得整个电路无法正常工作，并且也要避免器件在加固技术过程中导致器件初始电流放大系数的退化，因此需要研究抗总剂量辐射的高压三极管。

技术实现思路

[0003]为解决三极管因总剂量辐射而出现的基区表面复合电流增加的问题，抑制总剂量辐射对器件的影响。本专利技术提出了一种抗总剂量辐射效应的高压三极管结构。在太空环境中，三极管受到总剂量效应的影响，会在器件表面氧化层中产生带正电的氧化物陷阱电荷，带正电的氧化物陷阱电荷会导致三极管基区表面的电子浓度上升，增加表面复合，从而使得基区的表面复合电流增加，三极管的共发射极电流放大系数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗总剂量辐射高压三极管结构，其特征在于：包括位于底部的第一导电类型衬底(5)、位于第一导电类型衬底(5)上方的第二导电类型埋层区(4)、位于第二导电类型埋层区(4)上方的第二导电类型阱区(3)、位于第二导电类型埋层区(4)上方的第一导电类型阱区(2)、位于第一导电类型阱区(2)左上方的第二导电类型发射区(1)、位于第二导电类型发射区(1)下方的第二导电类型注入区(11)，位于第一导电类型阱区(2)上方的第一导电类型注入区(6)，位于第二导电类型发射区(1)和第一导电类型阱区(2)上方浅槽隔离氧化层(7)，位于第一导电类型阱区(2)和第二导电类型阱区(3)上方浅槽隔离氧化层(7)，位于第二导电类型发射区(1)上方的第二导电类型发射极注入区(8)，位于第一导电类型阱区(2)上方的第一导电类型基极注入区(9)，位于第二导电类型阱区(3)上方的第二导电类型集电极注入区(10)，位于第二导电类型发射极注入区(8)上方的发射极金属电极(12)，位于第一导电类型基极注入区(9)上方的基极金属电极(13)，位于第二导电类型集电极注入区(10)上方的集电极金属电极(14)。2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射高压三极管结构，其特征在于：位于第一导电类型阱区(2)上表面的第一导电类型注入区(6)的掺杂浓度高于第一导电类型阱区(2)的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射高压三极管结构，其特征在于：位于第二导电类型发射区(1)下方的第二导电类型注入区(11)的掺杂浓度高于第二导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锌，疏鹏，陈浪涛，乔明，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：