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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：形成基底，基底包括有源区和至少一个栅极结构组，每个栅极结构组包括多个间隔的栅极结构，栅极结构包括栅极以及覆盖栅极侧面的第一栅介质层，有源区的沟道区覆盖栅极结构组内的各...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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