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本发明公开了一种自对准沟槽累加模式场效应晶体管结构及其制造方法。该累加模式场效应晶体管包括沟槽栅极，每一个沟槽栅极都具有竖直栅极部分，所述的竖直栅极部分在半导体衬底的上表面延伸，且被侧壁间隔环绕。该累加模式场效应晶体管还包括沟槽，所述的沟槽...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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