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本发明公开了一种事故容错型Cr/Nb纳米多层涂层及其制备方法，通过磁控溅射在洁净的硅基体上沉积制备Cr/Nb纳米多层涂层，其原理是Ar气经辉光放电后产生高密度Ar+，Ar+在电场的作用下被强烈吸引到负电极并以高速率轰击金属Cr直流靶和金属N...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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